本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域,特別是涉及一種氣流調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)及氣流調(diào)節(jié)方法。、在化學(xué)氣相沉積(cvd)設(shè)備中,其工藝是在基板表面沉積各種介質(zhì)薄膜,薄膜的厚度均勻性是工藝的關(guān)鍵參數(shù)之一,直接影響薄膜特性和產(chǎn)品良率。為適應(yīng)目前半導(dǎo)體行業(yè)對高質(zhì)量、高效率、低成本以及適應(yīng)大尺寸基板工藝的不斷追求,提高...